技术参数/通道数: 2
技术参数/漏源极电阻: 33 mΩ
技术参数/极性: N-Channel, P-Channel
技术参数/耗散功率: 520 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 8 V
技术参数/漏源击穿电压: ±6 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.30 A
技术参数/额定功率(Max): 520 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: WDFN-6
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 2 mm
外形尺寸/高度: 0.75 mm
外形尺寸/封装: WDFN-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTJD1155LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-88-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTJD1155LT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88
|
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