技术参数/耗散功率: 290000 mW
技术参数/增益频宽积: 30 MHz
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 200
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: M174
外形尺寸/长度: 24.89 mm
外形尺寸/宽度: 12.83 mm
外形尺寸/高度: 7.11 mm
外形尺寸/封装: M174
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2879
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Toshiba (东芝) | 功能相似 |
RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | M-174 |
射频与微波晶体管短波单边带APLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APLICATIONS
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SD1487
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Advanced Semiconductor | 功能相似 |
射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
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SD1487
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | M174 |
射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
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