技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @1mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FJV3109RMTF
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
开关应用（偏置电阻内置） Switching Application (Bias Resistor Built In)
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FJV3111RMTF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | SOT-23-3 |
特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=22KΩ）•FJV4111R的补充
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FJV3111RMTF
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=22KΩ）•FJV4111R的补充
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FJV3112RMTF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | SOT-23-3 |
特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=47KΩ）•FJV4112R的补充
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FJV3112RMTF
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23 |
特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=47KΩ）•FJV4112R的补充
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