技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 500W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 1200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 12A
技术参数/上升时间: 25 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 3400pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 17 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH12N120P
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-247-3 |
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 1.35 ohm, 10 V, 6.5 V
|
||
IXTH12N120
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IXYS Semiconductor | 完全替代 | TO-247-3 |
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
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