技术参数/额定电压(DC): -60.0 V
技术参数/额定电流: -600 mA
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 150 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.6A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 150 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 150 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SC-70-3
外形尺寸/封装: SC-70-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-23 |
t-Pnp Si- Gen Pur
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BCW61C
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3-3 |
t-Pnp Si- Gen Pur
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BCW61C
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NTE Electronics | 功能相似 |
t-Pnp Si- Gen Pur
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MMBT2907AWT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SC-70-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE
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