技术参数/供电电流: 1.1 mA
技术参数/电路数: 1
技术参数/增益频宽积: 600 kHz
技术参数/输入补偿电压: 400 µV
技术参数/输入偏置电流: 40 nA
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NE5230DR2G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-8 |
NE5230，SE5230，SA5230，NCV5230，低电压运算放大器，ON Semiconductor 电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级：-40°C 至 +85°C SE 等级：-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用；符合 AEC-Q100 ### 运算放大器，ON Semiconductor
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SA5230DR2G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-8 |
SA 系列 0.25 V/us 18 V 表面贴装 低压运算放大器 - SOIC-8
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