技术参数/频率: 250 MHz
技术参数/额定电压(DC): -40.0 V
技术参数/额定电流: -200 mA
技术参数/额定功率: 350 mW
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.2A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @10mA, 1V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 300
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 30
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Ammo Pack
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3906RLRPG
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N3906RLRPG 双极晶体管
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2N3906TAR
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-92-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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2N3906TAR
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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2N3906TFR
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N3906TFR 晶体管, PNP, -40V, TO-92
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