技术参数/触点数: 3
技术参数/额定电压(DC): 40.0 V
技术参数/额定电流: 50.0 mA
技术参数/输出电压: 11 V
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/工作温度(Max): 100 ℃
技术参数/工作温度(Min): -50 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6027G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6027G 单晶体管 双极, 1 A, 1.25 µA, 150 µA, TO-92, 3引脚, 100 °C
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2N6027G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6027G 单晶体管 双极, 1 A, 1.25 µA, 150 µA, TO-92, 3引脚, 100 °C
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2N6027G
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Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6027G 单晶体管 双极, 1 A, 1.25 µA, 150 µA, TO-92, 3引脚, 100 °C
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2N6027RL1G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
2N6027：通用，2N6028：用于长间隔定时器和要求低漏电、低峰值电流的应用 通过选择 2 个电路电阻器值，可以对以下单结特性进行编程：n, Rbb, Ip, IV 适用于计时器、高增益相位控制电路和弛张振荡器 TO92 封装 **绝对最大额定值 ** | ---|--- 最大栅阴-极正向电压 | +40 V 最大栅-阴极反向电压 | -5 V 最大栅-阳极反向电压 | +40 V 最大阳极-阴极电压 | ±40 V 直流阳极电流 | 150 mA 正向重复峰值阳极电流 | 1 A 正向不重复峰值阳极电流 | 5 A 栅电流 | ±20 mA 电容放电能量 | 250 μJ 功率 | 300 mW **电气特性 ** | 峰值电流 (RG=10 k) 最大值 | 5 μA 偏置电压 (RG=10 k) 最大值 | 0.6 V 谷值电流 (RG=10 k) 最小值 | 70 μA ### 可编程单结 单结晶体管 (UJT) 是具有仅具有一个结点的电子半导体设备。 UJT 具有三个端子：一个发射极 (E) 和两个基极（B1 和 B2）。 可编程单结晶体管或 PUT 与闸流晶体管相似，它包含四个 P-N 层。 在正确的电路配置中，有两个编程电阻器用于设置参数 η，它们的行为与传统 UJT 相似。
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2N6027RL1G
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Rochester (罗切斯特) | 完全替代 | CASE 029 |
2N6027：通用，2N6028：用于长间隔定时器和要求低漏电、低峰值电流的应用 通过选择 2 个电路电阻器值，可以对以下单结特性进行编程：n, Rbb, Ip, IV 适用于计时器、高增益相位控制电路和弛张振荡器 TO92 封装 **绝对最大额定值 ** | ---|--- 最大栅阴-极正向电压 | +40 V 最大栅-阴极反向电压 | -5 V 最大栅-阳极反向电压 | +40 V 最大阳极-阴极电压 | ±40 V 直流阳极电流 | 150 mA 正向重复峰值阳极电流 | 1 A 正向不重复峰值阳极电流 | 5 A 栅电流 | ±20 mA 电容放电能量 | 250 μJ 功率 | 300 mW **电气特性 ** | 峰值电流 (RG=10 k) 最大值 | 5 μA 偏置电压 (RG=10 k) 最大值 | 0.6 V 谷值电流 (RG=10 k) 最小值 | 70 μA ### 可编程单结 单结晶体管 (UJT) 是具有仅具有一个结点的电子半导体设备。 UJT 具有三个端子：一个发射极 (E) 和两个基极（B1 和 B2）。 可编程单结晶体管或 PUT 与闸流晶体管相似，它包含四个 P-N 层。 在正确的电路配置中，有两个编程电阻器用于设置参数 η，它们的行为与传统 UJT 相似。
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2N6027RLRA
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
可编程单结晶体管 Programmable Unijunction Transistor
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