技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 1.3 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 900 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.00 A
技术参数/输入电容(Ciss): 2200pF @25V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 150 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-3
外形尺寸/长度: 15.9 mm
外形尺寸/宽度: 4.8 mm
外形尺寸/高度: 19 mm
外形尺寸/封装: TO-3
其他/产品生命周期: Not Recommended
其他/包装方式: Bulk
其他/制造应用: 工业, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQA9N90C_F109
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-3 |
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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STW11NK90Z
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW11NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V
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