技术参数/额定电压(DC): 15.0 V
技术参数/额定电流: 200 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 15 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.2A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @10mA, 1V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 120
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 40
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT2369
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE
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MMBT2369
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE
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MMBT2369ALT1
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | SOT-23-3 |
开关晶体管NPN硅 Switching Transistors NPN Silicon
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MMBT2369ALT1
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
开关晶体管NPN硅 Switching Transistors NPN Silicon
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PMBT2369,215
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia PMBT2369,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=15 V, HFE:20, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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PMBT2369,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia PMBT2369,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=15 V, HFE:20, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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