技术参数/额定电压(DC): 80.0 V
技术参数/额定电流: 4.70 A
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.034 Ω
技术参数/极性: Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/阈值电压: 2.3 V
技术参数/输入电容: 1.18 nF
技术参数/栅电荷: 25.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 80 V
技术参数/漏源击穿电压: 80 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.70 A
技术参数/上升时间: 8 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1180pF @40V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 900 mW
技术参数/下降时间: 12 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.6 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.9 mm
外形尺寸/高度: 1.575 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS3890
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FAIRCHILD | 功能相似 | SOP-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3890 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 80 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.3 V
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3890 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 80 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.3 V
|
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FDS3890
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3890 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 80 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.3 V
|
||
FDS3890
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3890 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 80 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.3 V
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC |
SOIC N-CH 80V 4.7A
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