技术参数/额定电压(DC): 4.00 V
技术参数/额定电流: 90.0 mA
技术参数/输出电流: ≤1.00 A
技术参数/击穿电压: 4.00 V
技术参数/负载电流: 1 mA
技术参数/正向电压: 250 mV
技术参数/耗散功率: 75 mW
技术参数/电阻: 14.0 Ω
技术参数/正向电压(Max): 350 mV
技术参数/正向电流(Max): 10 mA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 75 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.13 mm
外形尺寸/宽度: 1.5 mm
外形尺寸/高度: 1.2 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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AVAGO Technologies (安华高科) | 功能相似 | Surface Mount |
SILICON, X-KU BAND, MIXER DIODE
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HSMS-8202-TR1
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Broadcom (博通) | 完全替代 | SOT-23-3 |
Diode RF Mixer Schottky 4V 75mW 3Pin SOT-23 T/R
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Agilent (安捷伦) | 类似代替 |
BROADCOM LIMITED HSMS-8202-TR1G 二极管, 射频肖特基, 双系列, 4 V, 5 mA, 350 mV, 0.26 pF, SOT-23
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HSMS-8202-TR2G
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Broadcom (博通) | 完全替代 | SOT-23-3 |
Diode RF Mixer Schottky 4V 75mW 3Pin SOT-23 T/R
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