技术参数/漏源极电阻: 6.00 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.60 W
技术参数/漏源击穿电压: 240 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 360 mA
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SOT-89
外形尺寸/封装: SOT-89
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STD5N20LT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
STMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V
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