封装参数/封装: 1008
外形尺寸/封装: 1008
其他/最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage: -3V
其他/栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage: -4V
其他/漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current: 15mA-60mA
其他/关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage: -0.1V -- -1.5V
其他/耗散功率PdPower Dissipation: 50mW
其他/规格书PDF: __
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MGF4919G
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Mitsubishi (三菱) | 功能相似 |
超低噪音的InGaAs HEMT SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
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