技术参数/漏源极电阻: 3.5 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 2.1 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/上升时间: 3.4 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 3700pF @20V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 69 W
技术参数/下降时间: 4.2 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: PG-TSDSON-8
外形尺寸/长度: 3.4 mm
外形尺寸/宽度: 3.4 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: PG-TSDSON-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSZ042N04NSGATMA1
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | PG-TSDSON-8 |
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NSGATMA1, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
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