技术参数/工作电压: 8 V
技术参数/击穿电压: 8.89 V
技术参数/钳位电压: 13.6 V
技术参数/最大反向电压（Vrrm）: 8V
技术参数/脉冲峰值功率: 400 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: DO-214AC-2
外形尺寸/封装: DO-214AC-2
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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1SMA8.0AT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SMA |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMA8.0AT3G
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Littelfuse (力特) | 类似代替 | DO-214AC |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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SMAJ8.0A
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JXND (嘉兴南电) | 功能相似 | SMA |
硅雪崩二极管 - 400W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
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Jingdao (晶导) | 功能相似 | SMA |
硅雪崩二极管 - 400W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
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AVX (艾维克斯) | 功能相似 | DO-214AC |
硅雪崩二极管 - 400W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
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Good-Ark Electronics (固锝) | 功能相似 | DO-214AC |
硅雪崩二极管 - 400W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
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SMAJ8.0A
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 功能相似 | DO-214AC |
硅雪崩二极管 - 400W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
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SMAJ8.0A
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Zowie Technology (智威) | 功能相似 |
硅雪崩二极管 - 400W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
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