技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/集电极击穿电压: 30.0 V
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 15.0 V
技术参数/直流电流增益(hFE): 25
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-72
外形尺寸/高度: 4.82 mm
外形尺寸/封装: TO-72
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 85412100959
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTE108
|
NTE Electronics | 功能相似 | TO-92 |
NTE ELECTRONICS NTE108 射频晶体管, NPN, 15V, 600MHZ, TO-92
|
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