技术参数/耗散功率: 200 W
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-204-2
外形尺寸/长度: 39.37 mm
外形尺寸/宽度: 26.67 mm
外形尺寸/高度: 8.51 mm
外形尺寸/封装: TO-204-2
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BD138-16
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Continental Device | 功能相似 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor
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BD138-16
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Samsung (三星) | 功能相似 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
20 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 140 VOLTS 250WD
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