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型号： 2N7002K/T1
描述： VISHAY 2N7002K / T1 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
封 装： TO-236
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
1.5  元 1.5元
5+:
￥ 2.0304
25+:
￥ 1.8800
50+:
￥ 1.7747
100+:
￥ 1.7296
500+:
￥ 1.6995
2500+:
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5000+:
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价格
￥2.0304
￥1.8800
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 2 Ω

技术参数/耗散功率: 350 mW

技术参数/阈值电压: 2.5 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-236

外形尺寸/封装: TO-236

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) 功能相似 SOT-23-3
VISHAY 2N7002K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Intertechnology 功能相似
VISHAY 2N7002K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V

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