技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.6 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 600 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TO-78
外形尺寸/封装: TO-78
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
JANTXV2N2060
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-78-6 |
规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR
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