技术参数/击穿电压: -25.0 V
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/漏源击穿电压: -6.50 V
技术参数/栅源击穿电压: -6.50 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 500 µA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-106
外形尺寸/高度: 4.57 mm
外形尺寸/封装: TO-106
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
海关信息/HTS代码: 85412100959
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N4338-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-206 |
VISHAY 2N4338-E3 放大器, JFET, N沟道
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2N4338-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-206 |
VISHAY 2N4338-E3 放大器, JFET, N沟道
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2N4338-E3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-206 |
VISHAY 2N4338-E3 放大器, JFET, N沟道
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ETC1 | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BF256B 晶体管, JFET, JFET, -30 V, 6 mA, 13 mA, -8 V, TO-92, RF FET
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