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型号: BAS70-04LT1
描述: SCHOTTKY BARRIER DIODES
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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BAS70-04 BAS70-04 Comchip Technology (上华科技) 功能相似
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04 BAS70-04 NXP (恩智浦) 功能相似 SOT-23-3
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04 BAS70-04 Infineon (英飞凌) 功能相似 SOT-23-3
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04 BAS70-04 SLKOR (韩国萨科微) 功能相似 SOT-23
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
BAS70-04 BAS70-04 Microsemi (美高森美) 功能相似 SOT-23
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04 BAS70-04 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) 功能相似 SOT-23-3
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04LT1G BAS70-04LT1G ON Semiconductor (安森美) 类似代替 SOT-23-3
ON SEMICONDUCTOR BAS70-04LT1G 小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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