技术参数/正向电压: 1V @0.015A
技术参数/正向电流: 15 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 100 mA
技术参数/正向电流(Max): 0.07 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 225 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.94 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: 55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Comchip Technology (上华科技) | 功能相似 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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SLKOR (韩国萨科微) | 功能相似 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | SOT-23-3 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BAS70-04LT1G 小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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