技术参数/漏源极电阻: 22.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 2.50 W
技术参数/漏源击穿电压: 80.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.60 A
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO
外形尺寸/封装: SO
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4480DY-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
|
||
SI4480DY-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SO |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价