技术参数/正向电压: 750 mV
技术参数/漏源极电阻: 16.5 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3.10 W
技术参数/漏源击穿电压: 80.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.50 A
技术参数/上升时间: 11.0 ns
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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