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型号： SI4866DY
描述： N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
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品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
封 装： SO
货 期：
包装方式： Tube
标准包装数： 1
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  • 数量： 库存(3131) 起订量(1)
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技术参数/漏源极电阻: 5.50 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 3.00 W

技术参数/漏源击穿电压: 12.0 V

技术参数/栅源击穿电压: ±8.00 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 17.0 A

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SO

外形尺寸/封装: SO

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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