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型号: BUT100
描述: 高功率NPN硅晶体管 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
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封 装: TO-204
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 125 V

技术参数/额定功率(Max): 300 W

技术参数/工作温度(Max): 200 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 300000 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-204

外形尺寸/封装: TO-204

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: 200℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准:

符合标准/含铅标准: Lead Free

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