技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/电容: 170 pF
技术参数/输出电流: ≤500 mA
技术参数/针脚数: 2
技术参数/正向电压: 0.43 V
技术参数/极性: Standard
技术参数/耗散功率: 410 mW
技术参数/热阻: 244℃/W (RθJA)
技术参数/正向电流: 500 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 5.5 A
技术参数/正向电压(Max): 430 mV
技术参数/正向电流(Max): 0.5 A
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 410 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: SOD-123
外形尺寸/长度: 2.85 mm
外形尺寸/宽度: 1.7 mm
外形尺寸/高度: 1.05 mm
外形尺寸/封装: SOD-123
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理, 军用与航空, 国防
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/军工级: Yes
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SHIKUES (时科) | 类似代替 | SOD-123 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR B0530W 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 500 mA, 430 mV, 5.5 A, 125 °C
|
||
B0530W
|
GMR Semiconductor (金誉半导体) | 类似代替 | SOD-123 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR B0530W 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 500 mA, 430 mV, 5.5 A, 125 °C
|
||
|
B0530W
|
Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR B0530W 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 500 mA, 430 mV, 5.5 A, 125 °C
|
|||
B0530W-7
|
Diodes (美台) | 类似代替 | SOD-123 |
表面贴装肖特基整流器 .非常低正向压降。.保护环构..
|
||
MBR0530T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOD-123 |
ON SEMICONDUCTOR MBR0530T1G 肖特基整流器, 单, 30 V, 500 mA, SOD-123, 2 引脚, 430 mV
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价