技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.18 Ω
技术参数/耗散功率: 25 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/上升时间: 75 ns
技术参数/下降时间: 45 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 25000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/制造应用: Power Management, Commercial, 国防, 军用与航空, Aerospace, Defence, Military, 国防, 军用与航空, 商业, 电源管理
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/军工级: Yes
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TT Electronics Resistors | 功能相似 | 3 |
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 8A TO-205AF
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2N6796
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-205 |
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 8A TO-205AF
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2N6796
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-205 |
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 8A TO-205AF
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2N6796
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Semelab | 功能相似 | TO-39 |
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 8A TO-205AF
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2N6796
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Intersil (英特矽尔) | 功能相似 |
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 8A TO-205AF
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2N6796
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 |
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 8A TO-205AF
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JANTXV2N6796
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Semicoa Semiconductor | 类似代替 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A
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JANTXV2N6796
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A
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