技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 3 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 800 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-5-3
外形尺寸/封装: TO-5-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N1893
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CDIL | 完全替代 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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2N1893
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TO-5-3 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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2N1893
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Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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Microchip (微芯) | 完全替代 | TO-5-3 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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New Jersey Semiconductor | 完全替代 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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2N1893
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Central Semiconductor | 完全替代 | TO-39-3 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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2N1893
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-5-3 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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2N1893
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Rochester (罗切斯特) | 完全替代 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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JANTX2N1893S
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-205 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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