技术参数/输出电流: 30mA @15V
技术参数/供电电流: 1 mA
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/共模抑制比: 70 dB
技术参数/输入补偿漂移: 7.00 µV/K
技术参数/带宽: 700 kHz
技术参数/转换速率: 300 mV/μs
技术参数/增益频宽积: 700 kHz
技术参数/输入补偿电压: 3 mV
技术参数/输入偏置电流: 20 nA
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -25 ℃
技术参数/增益带宽: 0.7 MHz
技术参数/共模抑制比(Min): 70 dB
技术参数/电源电压(Max): 32 V
技术参数/电源电压(Min): 3 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/宽度: 3.91 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -25℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM258D
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 完全替代 | 8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM258D 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM258D
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM258D 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM258DR
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM258DR. 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM258DR
|
TI | 类似代替 | SOP8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM258DR. 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM258DRG4
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
双运算放大器 DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价