技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 38 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 11A
技术参数/上升时间: 55 ns
技术参数/下降时间: 37 ns
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/长度: 6.5 mm
外形尺寸/宽度: 6.22 mm
外形尺寸/高度: 2.3 mm
外形尺寸/封装: TO-252-3
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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AUIRFR9024N
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-252-3 |
P 通道功率 MOSFET，Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFR9024NTRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
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IRFR9024NTRPBF
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
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IRFR9024NTRPBF
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IFC | 完全替代 |
INFINEON IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
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IRFR9024NTRPBF
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IFA | 完全替代 |
INFINEON IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
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