技术参数/耗散功率: 0.6 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 800 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 600 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39-3
外形尺寸/封装: TO-39-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Semicoa Semiconductor | 完全替代 | TO-39 |
PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
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JANTXV2N2905A
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-5-3 |
PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
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