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型号: IXTP3N60P
描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXTP3N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 2.9 ohm, 10 V, 5.5 V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC): 600 V

技术参数/额定电流: 3.00 A

技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 2.9 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 70 W

技术参数/阈值电压: 5.5 V

技术参数/输入电容: 411 pF

技术参数/栅电荷: 9.80 nC

技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.00 A

技术参数/上升时间: 25 ns

技术参数/反向恢复时间: 500 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 411pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 22 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 70W (Tc)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220-3

外形尺寸/封装: TO-220-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Tube

其他/制造应用: 工业, Industrial, 电源管理, Power Management

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15

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IXTY3N60P IXTY3N60P IXYS Semiconductor 类似代替 TO-252-3
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