技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 3.00 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 2.9 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 70 W
技术参数/阈值电压: 5.5 V
技术参数/输入电容: 411 pF
技术参数/栅电荷: 9.80 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.00 A
技术参数/上升时间: 25 ns
技术参数/反向恢复时间: 500 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 411pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 22 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 70W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 工业, Industrial, 电源管理, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXTY3N60P
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-252-3 |
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价