技术参数/耗散功率: 3.7W (Ta), 43W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 400pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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VISHAY (威世) | 完全替代 | D2PAK |
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
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IRLZ14STRRPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-263-3 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3Pin
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IRLZ14STRRPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | D2PAK |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3Pin
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