技术参数/额定功率: 130 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.0065 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 130 W
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/输入电容: 2900 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 89A
技术参数/上升时间: 150 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2900pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 130 W
技术参数/下降时间: 70 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 130W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/长度: 6.73 mm
外形尺寸/宽度: 6.22 mm
外形尺寸/高度: 2.39 mm
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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AUIRLR3705Z
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
N 通道功率 MOSFET，Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLR2905TRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
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IRLR2905TRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
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IRLR3705ZPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRLR3705ZPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
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IRLR3705ZPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRLR3705ZPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
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