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型号: IRLMS5703TR
描述: IRLMS5703TR P沟道MOS场效应管 -2.3A 400毫欧 SOT-163 marking/标记 2D7U 低导通电阻 第五代技术
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封 装: Micro-6
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技术参数/额定电压(DC): -30.0 V

技术参数/额定电流: -2.30 A

技术参数/极性: P-Channel

技术参数/产品系列: IRLMS5703

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): -2.30 A

技术参数/上升时间: 12.0 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 170pF @25V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 1.7 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/封装: Micro-6

外形尺寸/封装: Micro-6

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Contains Lead

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF Infineon (英飞凌) 类似代替 SOT-23-6
INFINEON IRLMS5703TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1 V
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF International Rectifier (国际整流器) 类似代替 TSOP-6
INFINEON IRLMS5703TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1 V
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