技术参数/漏源极电阻: 28 mΩ
技术参数/极性: N-CH
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 50A
技术参数/上升时间: 110 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1900pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 92 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/材质: Silicon
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2000
符合标准/RoHS标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44S
|
International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
|||
IRFZ44S
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
|||
IRFZ44S
|
Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
||
IRFZ44SPBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
||
IRFZ44STRRPBF
|
Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
||
IRFZ44STRRPBF
|
Vishay Intertechnology | 完全替代 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价