技术参数/额定电压(DC): 200 V
技术参数/额定电流: 31.0 A
技术参数/漏源极电阻: 82 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3.1 W
技术参数/产品系列: IRFS31N20D
技术参数/阈值电压: 5.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/漏源击穿电压: 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 31.0 A
技术参数/上升时间: 38.0 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2370pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.1 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STB19NF20
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK
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STB40NF20
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
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