技术参数/额定功率: 60 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.28 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 60 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -11.0 A
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/封装: TO-220
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRF | 功能相似 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9Z24NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 12A, TO-220AB 新
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IRF9Z24NPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9Z24NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 12A, TO-220AB 新
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IRF9Z24NPBF
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IFC | 功能相似 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9Z24NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 12A, TO-220AB 新
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IRF9Z34NPBF
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IFA | 功能相似 |
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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