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型号: IRF7493TRPBF
描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: SOIC-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定功率: 2.5 W

技术参数/针脚数: 8

技术参数/漏源极电阻: 0.0115 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 2.5 W

技术参数/阈值电压: 4 V

技术参数/输入电容: 1510 pF

技术参数/漏源极电压(Vds): 80 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.3A

技术参数/上升时间: 7.5 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 1510pF @25V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 2.5 W

技术参数/下降时间: 12 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2.5W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/长度: 5 mm

外形尺寸/宽度: 4 mm

外形尺寸/高度: 1.5 mm

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Load Switch High Side

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRF7493 IRF7493 Infineon (英飞凌) 类似代替 SOIC-8
SOIC N-CH 80V 9.3A
IRF7493 IRF7493 VBSEMI 类似代替 SOP-8
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