技术参数/额定电压(DC): 400 V
技术参数/额定电流: 10.0 A
技术参数/漏源极电阻: 550 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 125 W
技术参数/漏源击穿电压: 400 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 10.0 A
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/封装: TO-220
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF740
|
Magnatec | 功能相似 | TO-220 |
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
|
||
IRF740
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
|
|||
IRF740
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
|
||
IRF740B
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
|
||
IRF740LCPBF
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
|
||
IRF740LCPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 |
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
|
|||
IRF740LCPBF
|
Vishay Precision Group | 类似代替 | TO-220 |
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
|
||
NTE2397
|
NTE Electronics | 功能相似 | TO-220 |
NTE ELECTRONICS NTE2397 场效应管, MOSFET, N沟道, 400V, 10A, TO-220
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价