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型号: IRF2903ZPBF
描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Rail, Tube
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技术参数/额定功率: 290 W

技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.0024 Ω

技术参数/极性: N-CH

技术参数/耗散功率: 290 W

技术参数/阈值电压: 4 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 260A

技术参数/上升时间: 100 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 6320pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 37 ns

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 290W (Tc)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220-3

外形尺寸/长度: 10.67 mm

外形尺寸/宽度: 4.83 mm

外形尺寸/高度: 16.51 mm

外形尺寸/封装: TO-220-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Rail, Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: 无铅

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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INFINEON IRL3713PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 V
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INFINEON IRLB3813PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 V
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