技术参数/电源电压(DC): 10.0V (min)
技术参数/工作电压: 10V ~ 20V
技术参数/输出接口数: 2
技术参数/输出电压: 620 V
技术参数/输出电流: 1.9 A
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/产品系列: IR21814
技术参数/上升时间: 60ns (Max)
技术参数/下降时间: 35ns (Max)
技术参数/下降时间(Max): 35 ns
技术参数/上升时间(Max): 60 ns
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW
技术参数/电源电压: 10V ~ 20V
技术参数/电源电压(Max): 20 V
技术参数/电源电压(Min): 10 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 14
封装参数/封装: SOIC-14
外形尺寸/长度: 8.74 mm
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-14
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRF | 功能相似 |
600V High and Low Side Driver IC with typical 1.9A source and 2.3A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead PDIP, 8 Lead SOIC, and 8 Lead PDIP.
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IR21814STRPBF
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | SOIC-14 |
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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