技术参数/极性: Dual P-Channel
技术参数/耗散功率: 160 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): -100 V
技术参数/集电极最大允许电流: 20A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 18000
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 160000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-204-2
外形尺寸/长度: 39.37 mm
外形尺寸/宽度: 26.67 mm
外形尺寸/高度: 8.51 mm
外形尺寸/封装: TO-204-2
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tray
其他/最小包装: 100
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Central Semiconductor | 功能相似 | TO-204 |
Transistor Pnp Silicon Darlington 100V Ic=20A To-3 Case Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
|
||
2N6287
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
Transistor Pnp Silicon Darlington 100V Ic=20A To-3 Case Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
|
||
2N6287
|
Boca Semiconductor (博卡半导体) | 功能相似 |
Transistor Pnp Silicon Darlington 100V Ic=20A To-3 Case Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
|
|||
2N6287
|
Multicomp | 功能相似 | TO-3 |
Transistor Pnp Silicon Darlington 100V Ic=20A To-3 Case Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
|
||
2N6287
|
Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | TO-3 |
Transistor Pnp Silicon Darlington 100V Ic=20A To-3 Case Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
|
||
2N6287G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6287G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 100 hFE 新
|
||
JANTX2N6287
|
M/A-Com | 功能相似 | TO-204 |
DIODE
|
||
|
|
M/A-Com | 功能相似 | TO-204 |
Trans Darlington PNP 100V 20A 175000mW 3Pin(2+Tab) TO-3
|
||
JANTXV2N6287
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-3 |
Trans Darlington PNP 100V 20A 175000mW 3Pin(2+Tab) TO-3
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价