技术参数/额定电压(DC): -160 V
技术参数/额定电流: -600 mA
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/增益频宽积: 300 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 150 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.6A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 60 @10mA, 5V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 240
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 4.58 mm
外形尺寸/宽度: 3.86 mm
外形尺寸/高度: 4.58 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5401TA
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
|
||
|
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92 |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
|
||
2N5401TF
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-226-3 |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价