技术参数/容差: ±5 %
技术参数/击穿电压: 16.0 V
技术参数/正向电压: 1.2V @200mA
技术参数/耗散功率: 1.3 W
技术参数/测试电流: 15.5 mA
技术参数/稳压值: 16 V
技术参数/额定功率(Max): 1.3 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1300 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/长度: 4.1 mm
外形尺寸/宽度: 2.6 mm
外形尺寸/高度: 2.6 mm
外形尺寸/封装: DO-41
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZX85C16-TAP
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Vishay Dale (威世达勒) | 类似代替 |
VISHAY BZX85C16-TAP 齐纳二极管, 1.3W, 16V, DO-41
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BZX85C16-TAP
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VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-41 |
VISHAY BZX85C16-TAP 齐纳二极管, 1.3W, 16V, DO-41
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ZPY16-TAP
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VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-41 |
Diode Zener Single 16V 6% 1.3W 2Pin DO-41 Ammo
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ZPY16-TAP
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-41 |
Diode Zener Single 16V 6% 1.3W 2Pin DO-41 Ammo
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ZPY16-TR
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Vishay Siliconix | 类似代替 |
1.3mW，ZPY 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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ZPY16-TR
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-41 |
1.3mW，ZPY 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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