技术参数/额定电压(DC): 200 V
技术参数/额定电流: 1.00 A
技术参数/输出电流: ≤1.00 A
技术参数/正向电压: 1.1V @1A
技术参数/极性: Standard
技术参数/热阻: 52℃/W (RθJA)
技术参数/正向电压(Max): 1.1V @1A
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 2.7 mm
外形尺寸/高度: 2.7 mm
外形尺寸/封装: DO-41
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N4003/54
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-204AL |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
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1N4003/54
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VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-204AL |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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SMC | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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Won-Top Electronics | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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Diotec Semiconductor | 类似代替 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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Gulfsemi | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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LiteOn (光宝) | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003G
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Good-Ark Electronics (固锝) | 类似代替 | DO-204AL |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003G 快速恢复功率整流器
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1N4003RLG
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4003RLG. 标准二极管, 1A, 200V, 59-10
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