技术参数/额定电压(DC): 900 V
技术参数/额定电流: 6.40 A
技术参数/漏源极电阻: 1.93 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 198 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 900 V
技术参数/漏源击穿电压: 900 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 6.40 A
技术参数/输入电容(Ciss): 1880pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 198 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 198W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-3-3
外形尺寸/封装: TO-3-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQA8N90C
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-3-3 |
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
|
||
|
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-3 |
N沟道MOSFET QFET® 900 V， 8 A， 1.9 I© N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 Ω
|
||
FQA8N90C-F109
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SC-65 |
N沟道MOSFET QFET® 900 V， 8 A， 1.9 I© N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 Ω
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价