技术参数/针脚数: 4
技术参数/漏源极电阻: 0.043 Ω
技术参数/耗散功率: 3 W
技术参数/阈值电压: 1.6 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/上升时间: 12 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 235pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1.1 W
技术参数/下降时间: 3 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.5 mm
外形尺寸/宽度: 3.56 mm
外形尺寸/高度: 1.6 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 便携式器材, 电机驱动与控制, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 电源管理, 工业
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDT457N
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V
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FDT459N
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-261-4 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT459N, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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||
FDT459N
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-261-4 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT459N, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
|
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STN4NF03L
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-261-4 |
STMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
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